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电子元器件详细资料 » IC[25848] » NTB30N06G
型号:NTB30N06G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C27A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C42 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs46nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1200pF @ 25V
功率_最大88.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK
包装管件

供应商

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深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
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